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Electro-Films (EFI) / Vishay IRFIB5N65A
| Artikelnummer: | IRFIB5N65A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Electro-Films (EFI) / Vishay IRFIB5N65A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IRFIB5N65A.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie - Rds On (Max) @ Id, Vgs 930 mOhm @ 3.1A, 10V Verlustleistung (max) 60W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Andere Namen *IRFIB5N65A Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Contains lead / RoHS non-compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1417pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V detaillierte Beschreibung N-Channel 650V 5.1A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.1A (Tc) IRFIB5N65A Einzelheiten PDF [English] IRFIB5N65A PDF - EN.pdf -
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